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您正在寻找一颗能扛起高压大梁、同时保持冷静高效的“核心引擎”吗？STW13NK100Z正是为此而生！这颗采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有高达1000V的漏源电压和13A的连续电流能力，专为应对严苛的功率应用挑战而设计。

它的核心价值在于，能以低至700毫欧的导通电阻（Rds(on)）处理高功率，这意味着更少的能量以热量的形式浪费，让您的电源、电机驱动或逆变器系统运行得更凉爽、更高效。高达350W的功率耗散能力和宽泛的工作温度范围，确保了它在各种环境下都能稳定可靠地工作。选择它，就是为您的产品选择了强大的动力与持久的耐力，让您轻松实现高性能与高可靠性的完美平衡。

• 型号:STW13NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 13A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:700 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 150A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:266 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW13NK100Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。