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还在为寻找一颗既能大电流驱动又极致节省空间的P沟道MOSFET而烦恼吗？STL4P3LLH6就是为您量身定制的解决方案！它集成了意法半导体先进的STripFET H6技术，让您在30V电压下轻松驾驭4A的连续电流，而超低的56毫欧导通电阻能显著减少功率损耗，直接提升您终端产品的续航和可靠性。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的负载开关、电源路径管理和电机驱动电路变得前所未有的高效与紧凑。其革命性的PowerFlat 2x2微型封装，几乎不占板面积，是追求轻薄化设计的理想选择。同时，优异的开关特性让系统响应更迅捷。选择它，就是选择了一种更智能、更高效的电源管理方式，助您轻松打造出更具市场竞争力的产品。

• 型号:STL4P3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（2x2）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 4A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:56 毫欧 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:639 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.4W（Ta）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（2x2）
• 封装/外壳:6-PowerWDFN
• STL4P3LLH6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。