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还在寻找一颗能同时驾驭高压与高效率的功率开关吗？STW13N80K5就是您的理想答案。这颗基于SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的强悍耐压和12A的持续电流能力，专为应对严苛的工业与能源应用而设计。

它能让您轻松实现更低的导通与开关损耗。其优化的450毫欧导通电阻和仅29nC的栅极电荷，意味着更少的能量浪费和更低的发热，直接提升您的系统整体能效。无论是构建紧凑高效的开关电源，还是驱动可靠的电机控制系统，STW13N80K5都能提供稳定、强劲的性能，助您打造更具市场竞争力的产品。

• 型号:STW13N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW13N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。