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您正在寻找一颗能扛起高压大梁、让电源系统坚如磐石的功率开关吗？STW12NK95Z正是您的理想之选。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有惊人的950V耐压和10A电流处理能力，专为应对严苛的高压环境而设计。

它采用先进的SuperMESH技术，实现了极低的导通电阻（仅900毫欧@5A,10V），能显著降低开关和传导损耗，直接提升您的系统整体能效。同时，其优化的栅极电荷和输入电容，让驱动设计更简单，开关速度更快。无论是用于工业电源、电机驱动还是逆变器，它都能让您轻松实现高效、可靠且紧凑的功率转换解决方案。

• 型号:STW12NK95Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 10A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:113 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:230W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW12NK95Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。