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您正在寻找一颗能驱动870MHz频段强大射频信号的“心脏”吗？PD85025S-E正是您期待的答案。这颗来自ST意法半导体的LDMOS射频MOSFET，拥有高达17.3dB的增益和10W的稳定输出功率，能轻松将微小信号放大至强劲有力的水平，让您的通信或发射系统覆盖更远、信号更清晰。

它工作在13.6V电压下，额定电流高达7A，并采用利于散热的PowerSO-10封装，确保在高功率输出时依然保持高效与稳定。无论是用于专业无线基础设施还是工业射频应用，PD85025S-E都能为您提供可靠的核心放大功能，简化您的设计挑战，助力项目高效推进。

• 型号:PD85025S-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（直引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:870MHz
• 增益:17.3dB
• 电压 - 测试:13.6 V
• 额定电流（安培）:7A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:300 mA
• 功率 - 输出:10W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
• PD85025S-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。