我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STB36N60M6现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为功率转换系统的效率瓶颈而烦恼吗？让STB36N60M6为您开启高效节能的新篇章。这颗基于意法半导体先进MDmesh M6技术的N沟道MOSFET，集600V高耐压与30A大电流能力于一身，其卓越的低导通电阻与超低栅极电荷特性，能显著降低开关损耗和传导损耗，让您的电源设计轻松实现更高的功率密度和能源效率。

它专为应对严苛应用而优化，无论是工业电机驱动、服务器电源，还是UPS和太阳能逆变器，STB36N60M6都能提供稳定可靠的性能。其坚固的D2PAK封装和宽广的工作温度范围，确保了在复杂环境下的长久耐用性。选择它，就是为您的产品选择了经得起考验的核心动力，让您在设计竞争中脱颖而出。

• 型号:STB36N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:99 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1960 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:208W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB36N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。