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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持极高开关效率和可靠性的功率开关吗？STW12N150K5正是为您而来的解决方案。这颗基于意法半导体先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有1500V的超高漏源击穿电压和7A的连续电流能力，让您在设计太阳能逆变器、工业电源或电机驱动时，轻松应对高压侧开关的严苛要求。

它的核心价值在于卓越的性能平衡。1.9欧姆的低导通电阻能显著降低导通损耗，而优化的栅极电荷（仅47nC）确保了极快的开关速度，从而大幅削减开关损耗。这意味着您的系统不仅能高效运行，更能减少发热，提升整体功率密度和可靠性。其坚固的TO-247封装和250W的强大耗散能力，为您提供了充裕的散热设计空间，确保设备在-55°C到150°C的广泛温度范围内稳定工作。选择它，就是为您的产品注入了高效与耐用的基因。

• 型号:STW12N150K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1500V 7A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.9 欧姆 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1360 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW12N150K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。