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还在寻找那颗能同时驾驭高电流与低损耗的“全能型”功率开关吗？STW120NF10就是您的理想答案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有100V的漏源电压和高达110A的连续漏极电流，而其核心魅力在于仅10.5毫欧的超低导通电阻，能大幅降低开关过程中的导通损耗，直接为您提升系统整体能效。

它内置的先进STripFET II技术，配合优化的栅极电荷（Qg仅233nC），让开关动作既快速又干净，显著减少开关损耗。无论是用于构建高效的同步整流电路，还是驱动 demanding 的电机负载，它都能让您的设计运行得更凉爽、更安静。高达312W的功率耗散能力和宽广的工作温度范围，更赋予了它应对工业级严酷考验的底气，确保您的产品稳定可靠，性能持久如一。

• 型号:STW120NF10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 110A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:233 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:312W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW120NF10，ST（意法半导体）产品一站式供应商。