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还在为半桥电路中的高压侧驱动设计而头疼吗？L6569AD013TR就是您期待的解决方案。这颗来自ST意法半导体的高压半桥栅极驱动器，专为高效、可靠地驱动IGBT和N沟道MOSFET而设计。它内置自举二极管，简化了高压侧供电；提供独立的欠压锁定保护，确保功率管安全；其强大的输出电流能力（270mA拉电流，170mA灌电流）能让您的开关管动作干净利落，显著提升系统效率。

它就像一位经验丰富的“指挥官”，轻松驾驭高达600V的电压平台，在-40°C到150°C的结温范围内稳定工作。无论是用于开关电源、照明控制还是电机驱动，L6569AD013TR都能让您以更少的元件、更简化的布局，实现更高效、更可靠的功率转换，助您轻松应对各种严苛应用挑战。

• 型号:L6569AD013TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 16.6V
• 逻辑电压- VIL，VIH:-
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:170mA，270mA
• 输入类型:RC 输入电路
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:-
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• L6569AD013TR，ST（意法半导体）产品一站式供应商。