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还在为高压开关应用的效率瓶颈寻找突破口吗？STW11NM80就是您期待的解决方案。这颗800V/11A的N沟道功率MOSFET，采用ST先进的MDmesh技术，旨在让您的设计轻松实现更高能效与更强动力。

它凭借低至400毫欧的导通电阻和优化的动态特性，能显著降低导通与开关损耗，帮助您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。高达150W的功率处理能力和宽泛的工作温度范围，确保了它在严苛环境下的卓越可靠性。无论是提升现有产品性能，还是开发下一代高效能设备，STW11NM80都是您值得信赖的功率核心选择。

• 型号:STW11NM80
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1630 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW11NM80，ST（意法半导体）产品一站式供应商。