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您正在寻找一颗能扛起高压重任、同时保持冷静高效的“能量开关”吗？STW10NK80Z正是为此而生。这颗采用SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有800V的坚固防线和9A的强劲电流吞吐能力，专门为应对苛刻的工业电源、电机控制及照明应用而优化。

它的核心价值在于让您的系统运行得更“轻松”。通过显著降低导通电阻，它大幅减少了功率损耗和发热，让能量传递更直接、更高效。同时，优化的开关特性让驱动设计更简单，帮助您轻松实现更快的频率响应和更高的功率密度，从而全面提升终端产品的性能和可靠性。

• 型号:STW10NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 9A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2180 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW10NK80Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。