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还在为高压开关应用中的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？让意法半导体的STW10NK60Z来为您分忧！这颗基于先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，是专为高效能、高可靠性场景而生的功率管理专家。

它拥有600V的坚固耐压和10A的强大电流处理能力，核心优势在于其极低的导通电阻（Rds(on)），能显著减少功率损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更“冷静”、更高效。同时，优化的动态参数让开关更迅速，驱动更轻松，直接助力您提升整体能效和功率密度。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的高性能心脏。

• 型号:STW10NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:156W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW10NK60Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。