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还在为寻找一颗能在高压下高效开关的“心脏”而烦恼吗？STULED524正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有525V的坚固耐压和4A的强劲电流能力，其核心魅力在于极低的2.6欧姆导通电阻和12nC栅极电荷，能显著降低开关损耗和传导损耗。

这意味着，在您的电源转换或电机驱动电路中，它能帮助您轻松实现更高的系统效率，减少热量产生，让整体运行更凉爽、更稳定。无论是提升现有方案的能效等级，还是攻克新的高压设计挑战，STULED524都能让您的开发工作更加高效、结果更加出色。

• 制造商产品型号：STULED524
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 525V 4A IPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：525V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.6 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：340pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：45W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I-PAK
• STULED524，ST（意法半导体）产品一站式供应商。