我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STP22N60DM6现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找那颗能让您的电源设计既强劲又高效的“心脏”吗？STP22N60DM6正是您期待的答案。这颗采用先进MDmesh M6技术的600V/15A MOSFET，拥有低至240毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽，效率更高。

它极低的栅极电荷和输入电容，确保了快速的开关性能，轻松应对高频应用，减少开关损耗。无论是用于开关电源、电机驱动还是照明镇流器，它都能让您轻松实现更紧凑、更可靠的电路设计，全面提升终端产品的性能和市场竞争力。

• 型号:STP22N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 15A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:240 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP22N60DM6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。