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还在为电源转换效率难以提升而困扰吗？STU95N2LH5 N沟道功率MOSFET正是您的高效解决方案。它基于意法半导体先进的STripFET V技术，拥有惊人的80A连续电流能力和低至4.9毫欧的导通电阻，能显著降低开关和导通损耗，让您的电源模块或电机驱动系统运行得更凉、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭高功率应用。无论是用于同步整流提升DC-DC转换器效率，还是驱动电机实现快速响应，其优异的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性确保了快速干净的开关行为。通孔I-PAK封装坚固可靠，结合宽广的工作温度范围，让您的设计在面对挑战时依然稳健如山。

• 型号:STU95N2LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 25V 80A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:25 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.9 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.4 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1817 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU95N2LH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。