我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STL58N3LLH5现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能同时驾驭高电流与高效率的功率开关吗？STL58N3LLH5正是为您而来的解决方案。这颗30V N沟道MOSFET拥有64A的强大电流处理能力，配合低至9毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉快、更高效。

它采用先进的PowerFlat封装，在提供出色散热性能的同时，极大节省了电路板空间，助力您实现更紧凑的产品设计。其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）和车规级品质，确保它在严苛环境下依然稳定可靠。选择它，让您轻松提升产品功率密度与可靠性，赢得市场竞争先机。

• 型号:STL58N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 64A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):64A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:+22V，-20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:950 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.8W（Ta），62.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL58N3LLH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。