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还在为寻找一颗能兼顾高耐压、高效率与可靠性的功率开关管而烦恼吗？让STU8N80K5来为您解决难题！这颗基于ST SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的高压耐受能力和6A的强劲电流输出，其核心价值在于极低的导通电阻（Rds(on)）与优化的动态特性。这意味着它能显著降低开关和传导过程中的功率损耗，直接帮助您提升电源或驱动系统的整体能效，让您的产品运行更“冷静”，更持久。

它专为要求苛刻的功率转换应用而生。无论是开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)、电机控制还是照明镇流器，STU8N80K5都能凭借其快速的开关速度和出色的热性能，确保系统高效、稳定地运行。其坚固的TO-251封装和宽泛的工作温度范围，更能让您轻松应对各种复杂的工业环境挑战，简化您的散热设计，加速产品上市进程。

• 型号:STU8N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6A TO251
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU8N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。