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您正在寻找一颗能扛起大电流、同时保持超低损耗的功率开关吗？STU85N3LH5正是为您而生的解决方案。这颗采用先进STripFET V技术的N沟道MOSFET，拥有30V耐压和高达80A的连续电流处理能力，其核心价值在于惊人的5.4毫欧超低导通电阻，能极大减少导通状态下的功率损耗，直接提升您的系统整体能效。

它让您轻松驾驭电机驱动、电源转换等高要求应用。仅需5V至10V的标准驱动电压即可高效开启，配合极低的栅极电荷，确保了快速开关响应，减少开关损耗。高达175°C的工作结温和坚固的I-PAK通孔封装，赋予了它卓越的散热能力和物理可靠性，让您的设计在严苛环境下也能稳定运行，无后顾之忧。

• 型号:STU85N3LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.4 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU85N3LH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。