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您正在为提升电源转换效率或电机驱动性能而寻找一颗可靠的核心吗？STGP19NC60SD正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体的600V/40A IGBT，集成了先进的PowerMESH技术，旨在让您的设计轻松实现高效与强韧的完美统一。

它能在高达150°C的结温下稳定工作，提供130W的强大功率处理能力，并凭借低至1.9V的饱和压降(Vce(on))显著降低导通损耗。同时，其优化的开关特性（开启能量仅135J）帮助您有效管理开关损耗，提升整体系统能效。无论是用于变频器、UPS还是焊接设备，它都能让您构建出更紧凑、更可靠且性能出众的电源与驱动系统。

• 型号:STGP19NC60SD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 600V 40A TO-220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A
• 功率 - 最大值:130 W
• 开关能量:135J（导通），815J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:54.5 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:17.5ns/175ns
• 测试条件:480V，12A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):31 ns
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
• STGP19NC60SD，ST（意法半导体）产品一站式供应商。