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还在寻找一颗能兼顾高压耐受与高效开关的“心脏”吗？STU7N105K5正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有1050V的强悍耐压和4A的连续电流能力，其核心的SuperMESH5技术带来了革命性的低导通电阻（仅2欧姆@10V），能显著降低开关过程中的功率损耗，直接提升您的系统整体能效。

它能让您轻松驾驭工业电源、电机控制等高要求场景。极低的栅极电荷和输入电容确保了快速、干净的开关动作，减少发热，让设计更紧凑。高达110W的功率耗散能力和宽达-55°C至150°C的工作结温，赋予了它无与伦比的可靠性与环境适应性。选择它，就是为您的产品选择了高效、稳定与长久运行的卓越基因。

• 型号:STU7N105K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK（TO-251）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 4A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:380 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK（TO-251）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU7N105K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。