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还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的650V级功率开关管吗？STU6N65M2-S正是为您而来的解决方案。它基于ST先进的MDmesh M2技术，为您带来低至1.35欧姆的导通电阻和超低的栅极电荷，这直接意味着更低的导通损耗和开关损耗，让您的电源系统效率大幅提升，运行温度显著降低。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭高达4A的连续电流，其650V的高耐压为您抵御各种电压应力提供了坚实保障。无论是设计紧凑的充电器、高效的LED驱动，还是工业电源，它都能确保系统稳定、高效地长时间运行。其通孔IPAK封装兼顾了优异的散热性能和焊接可靠性，让您的生产与品质管控都更加轻松省心。

• 制造商产品型号：STU6N65M2-S
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh M2
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：650V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.35 欧姆 @ 2A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：9.8nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：226pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：60W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I-PAK
• STU6N65M2-S，ST（意法半导体）产品一站式供应商。