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您正在寻找一颗能同时驾驭高效能与高可靠性的功率开关吗？STGP30M65DF2正是您的理想之选。这颗650V/30A的沟槽型场截止IGBT，旨在让您的电源转换和电机控制应用运行得更冷静、更高效。

它拥有低至2V的饱和压降，能显著降低导通损耗，提升整体能效。同时，优化的开关速度和栅极电荷（80nC）让您轻松设计驱动电路，实现快速、干净的开关动作，有效减少开关损耗和EMI。其宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）和坚固的TO-220封装，确保您的产品在各种挑战性环境中都能稳定持久地工作。

• 型号:STGP30M65DF2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A
• 功率 - 最大值:258 W
• 开关能量:300J（导通），960J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:80 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns
• 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):140 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
• STGP30M65DF2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。