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还在寻找一颗能兼顾高压、高效与高可靠性的功率开关吗？STU6N65K3 N沟道MOSFET正是您的理想答案。它基于意法半导体先进的SuperMESH3技术打造，拥有650V的坚固耐压和5.4A的强劲电流处理能力，让您的电源设计底气十足。

这颗芯片的核心使命，就是让您的系统运行得更“冷静”、更高效。其超低的导通电阻（典型值1.3Ω）能大幅减少导通损耗，而优化的栅极电荷则有效降低了开关损耗。这意味着，无论是用于开关电源、电机驱动还是照明应用，它都能帮助您提升整体能效，减少发热，从而简化散热设计，让产品更紧凑、更可靠。选择它，就是为您的项目注入一份高效稳定的强大动力。

• 型号:STU6N65K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5.4A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 2.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:880 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU6N65K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。