我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STS7P4LLF6现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能大幅提升系统效率、同时节省宝贵电路板空间的P沟道MOSFET吗？STS7P4LLF6正是您的理想之选。这颗芯片能为您做什么？它凭借STripFET F6技术的加持，以极低的导通电阻（仅20.5毫欧）让电流通行无阻，显著降低导通损耗，从而让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

无论是用于电源开关、电机控制还是负载管理，其7A的连续电流能力和40V的耐压等级都让您应对自如。更令人惊喜的是，它拥有极低的栅极电荷和优异的开关特性，能帮助您轻松实现高效、快速的功率切换，全面提升系统动态响应。选择STS7P4LLF6，就是选择了一种高效、可靠且易于设计的功率解决方案，让您的产品在性能和成本之间找到最佳平衡点。

• 型号:STS7P4LLF6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 7A POWER8-SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tj）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20.5 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Ta）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS7P4LLF6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。