我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STS9NF30L现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能大幅提升开关效率、让设计更简洁的N沟道MOSFET吗？STS9NF30L正是您的理想之选。它基于先进的STripFET II技术，在30V电压下可连续通过9A电流，而其核心魅力在于低至20毫欧的导通电阻，能显著降低开关损耗和发热，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片拥有极低的栅极电荷和输入电容，这意味着它驱动起来非常轻松，能够实现高速开关，从而提升系统整体响应频率和能效。无论是用于同步整流、负载开关还是电机控制，它都能让您轻松应对，在-55°C至150°C的宽温度范围内稳定工作，确保产品在各种严苛环境下都具备出色的可靠性。

• 型号:STS9NF30L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±18V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:730 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS9NF30L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。