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还在为高压应用中的开关损耗和散热问题烦恼吗？让STU5N95K5来为您解决！这颗950V N沟道MOSFET是您实现高效能量控制的得力助手。它基于先进的MDmesh K5技术，拥有优异的开关特性和低导通电阻，能显著提升电源转换效率，同时降低温升。

它能让您轻松驾驭开关电源、工业驱动等应用。高达3.5A的电流能力和宽泛的工作温度范围，确保了系统在苛刻环境下的稳定运行。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的核心动力。

• 制造商产品型号：STU5N95K5
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 950V 3.5A IPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh K5
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：950V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.5A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 100A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12.5nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：220pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：70W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I-PAK
• STU5N95K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。