我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STU40N2LH5现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能扛起高电流开关重任的“硬核”MOSFET吗？STU40N2LH5正是为您而来。这颗来自ST意法半导体的N沟道功率器件，拥有25V耐压和高达40A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅12.4毫欧@10V）。这意味着它能显著减少导通状态下的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它专为简化您的设计而优化。仅需5V的标准驱动电压即可充分发挥性能，轻松兼容常见的控制逻辑，大幅简化驱动电路设计。同时，其优异的开关特性（低栅极电荷和输入电容）让高速开关成为可能，有效提升系统整体频率与响应速度。无论是用于同步整流、电机控制还是负载开关，STU40N2LH5都能让您以更小的能量损失，获得更强大的功率输出，是提升产品能效与可靠性的得力助手。

• 制造商产品型号：STU40N2LH5
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 25V 40A IPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：STripFET V
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：25V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：40A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：12.4 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：6.3nC @ 5V
• Vgs（最大值）：±22V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：700pF @ 20V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：35W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I-PAK
• STU40N2LH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。