我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STU3N80K5现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高压应用的开关损耗和系统效率头疼吗？让STU3N80K5来为您解决！这颗来自意法半导体SuperMESH5家族的N沟道MOSFET，是专为高效功率转换而生的利器。它拥有800V的高耐压和仅3.5欧姆的低导通电阻，能显著降低您在开关电源、PFC电路中的传导损耗，轻松提升整体能效。

它不仅能帮助您应对严苛的电压环境，其优化的动态参数（如低栅极电荷）更能实现快速、干净的开关动作，减少开关损耗和电磁干扰（EMI）。这意味着您的设计可以更高效、更紧凑、更可靠。选择STU3N80K5，就是选择让您的产品在性能与可靠性上赢得关键优势。

• 型号:STU3N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:130 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU3N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。