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还在为寻找一颗能在紧凑空间内高效处理功率的MOSFET而烦恼吗？STS6NF20V正是为您而来的解决方案。它集STripFET II技术精华于一身，以仅40毫欧的超低导通电阻和11.5nC的低栅极电荷，让您的DC-DC转换或电机驱动应用获得前所未有的高效率与低发热。

这颗N沟道MOSFET能轻松承载高达6A的连续电流，并在高达150°C的结温下稳定工作，可靠性毋庸置疑。其小巧的8-SO表面贴装封装，让您在设计时能极大节省PCB空间，实现更优雅、更集成的产品布局。选择STS6NF20V，就是选择让您的设计在性能、能效与体积之间取得完美平衡。

• 型号:STS6NF20V
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 6A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.95V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 3A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:600mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:460 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS6NF20V，ST（意法半导体）产品一站式供应商。