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还在为高压电源方案的效率瓶颈和散热难题困扰吗？让STU3LN80K5为您带来突破性的解决方案。这颗基于意法半导体先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的高耐压和2A的连续电流能力，专为要求苛刻的开关电源应用而优化。

它通过精心优化的3.25欧姆导通电阻与极低的栅极电荷，显著降低了导通与开关损耗，让您的电源设计轻松实现更高的能效等级。同时，其坚固的IPAK封装和宽广的工作温度范围，确保了在各种环境下的长效稳定运行。选择它，就是为您的产品选择了高效、可靠与安心。

• 型号:STU3LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK（TO-251）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 2A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.25 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.63 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:102 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK（TO-251）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU3LN80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。