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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持极高开关效率的“核心动力”吗？STP14NM65N正是为此而生！这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有650V的坚固耐压和12A的强大电流输送能力，让您轻松应对工业电源、电机驱动等严苛应用中的功率开关挑战。

它的秘诀在于极低的导通电阻（仅380mΩ）和优化的动态参数。这意味着它能显著减少导通损耗和开关损耗，直接提升您的整机效率，让系统运行更凉爽、更节能。经典的TO-220AB封装提供了出色的散热路径，结合其高达125W的耗散能力，确保功率输出持久稳定。选择它，就是为您的设计注入一份高效可靠的强大动能。

• 型号:STP14NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP14NM65N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。