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还在为高压应用中的开关损耗和可靠性头疼吗？让STU2N80K5为您带来变革性的解决方案。这颗基于先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的坚固耐压和仅4.5欧姆的低导通电阻，能显著降低您的系统传导损耗，提升整体能效，让电源运行更凉爽、更持久。

它专为高效开关而优化，极低的栅极电荷让驱动变得轻松，助力您实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件体积，降低系统成本。无论是开关电源、电机控制还是LED照明，STU2N80K5都能以2A的连续电流能力和宽泛的工作温度范围，确保您的产品在各种环境下稳定高效地运行。

• 型号:STU2N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:105 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU2N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。