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您正在寻找一颗能扛起高压大电流重任，同时又能将能量损耗降到最低的功率开关吗？STB75NF20正是为您而生的解决方案。它基于ST先进的STripFET技术，拥有200V的耐压和高达75A的电流承载能力，而其核心优势在于极低的导通电阻（仅34毫欧@10V）。这意味着在您的大功率应用中，它能显著减少导通损耗，让更多的电能高效地用于驱动负载，从而帮助您轻松提升整体系统效率，降低散热需求。

这颗芯片的卓越性能让您在设计时游刃有余。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速且干净的开关动作，让您的开关电源或电机驱动电路运行更高效、更安静。坚固的D2PAK封装和高达190W的功率耗散能力，赋予了它出色的可靠性与热性能，确保在严苛环境下也能稳定工作。选择STB75NF20，就是为您的产品选择了一份强劲、高效且可靠的动力保障。

• 型号:STB75NF20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:34 毫欧 @ 37A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3260 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB75NF20，ST（意法半导体）产品一站式供应商。