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还在为功率转换系统的效率与散热问题烦恼吗？STB34N65M5 N沟道功率MOSFET正是为您而来的高效解决方案。它基于意法半导体领先的MDmesh V技术，拥有650V高耐压和28A大电流承载能力，核心优势在于其极低的导通电阻（110mΩ）和栅极电荷，能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源设计轻松实现更高的能效等级和功率密度。

这颗芯片能为您做什么？它让您在设计服务器电源、工业驱动、太阳能逆变器或UPS等高压应用时，能够构建出更紧凑、更可靠的功率级。其优异的开关特性有助于简化驱动电路设计，而卓越的散热性能（190W耗散）则确保了系统在高温环境下的长期稳定运行。选择STB34N65M5，就是为您的产品注入一颗强劲、高效且可靠的心脏。

• 型号:STB34N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB34N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。