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还在为高压应用的开关损耗和散热问题头疼吗？让STU2LN60K3来为您解决！这颗基于先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，是您实现高效能量控制的得力助手。它拥有600V的高耐压和2A的电流处理能力，同时其极低的导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg），能显著降低开关损耗和驱动需求，让您的电源或电机驱动设计运行得更凉爽、更高效。

它能让您轻松构建更紧凑、更可靠的解决方案。无论是开关电源(SMPS)、LED驱动器，还是各种家电和工业控制中的功率转换模块，STU2LN60K3都能提供稳定的性能。其坚固的IPAK通孔封装和高达150°C的工作结温，确保了在严苛环境下的长期可靠性。选择它，就是为您的产品选择了经市场验证的高性能与高价值。

• 型号:STU2LN60K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 600V 2A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:235 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU2LN60K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。