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还在寻找一颗能扛起高压重担、同时保持敏捷响应的功率开关吗？STU16N60M2正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和12A的强大电流处理能力，核心使命就是让您的电源转换和电机驱动应用运行得更高效、更凉爽。

它采用ST先进的MDmesh M2技术，将导通电阻有效降低，显著减少了功率损耗。同时，优化的开关特性让您能轻松实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件体积，助力您的产品朝着更紧凑、更节能的方向迈进。无论是升级现有设备还是为经典设计保驾护航，选择它，就是为您的系统注入一份经久考验的稳定与高效。

• 型号:STU16N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 12A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:700 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU16N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。