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当您需要一颗能在高压下稳定工作、同时保持高效低耗的功率开关时，STU13N65M2正是您期待的答案。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，凭借其650V的漏源电压和10A的连续电流能力，让您轻松应对开关电源、电机控制等应用中的功率处理挑战。

它采用了先进的MDmesh M2技术，实现了低导通电阻与快速开关特性的优异平衡。这意味着它能显著降低系统的导通损耗和开关损耗，从而提升整体能效，让您的设备运行更凉爽、更可靠。其坚固的IPAK通孔封装和高达150°C的工作结温，进一步确保了在严苛环境下的长期稳定运行。

• 型号:STU13N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 10A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:430 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU13N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。