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您是否正在寻找一颗能轻松驾驭600V高压、同时保持高效开关性能的功率开关？STU12N60M2正是为您而来的解决方案。它基于意法半导体先进的MDmesh M2技术，让您在开关电源、电机驱动等应用中，显著降低导通损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率，让您的设备运行更凉爽、更持久。

这颗N沟道MOSFET拥有9A的强劲电流处理能力，配合优化的动态参数，如较低的栅极电荷，让驱动设计变得异常简单。它采用坚固的I-PAK封装，确保高达85W的功率耗散能力，为您提供从-55°C到150°C的宽广工作温度范围内的稳定表现。选择STU12N60M2，就是选择了一个让您设计更省心、产品更具竞争力的高效能核心。

• 型号:STU12N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 9A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:538 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU12N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。