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还在为高压开关应用的效率与发热问题寻找解决方案吗？让STU10NM65N来为您分忧！这颗来自意法半导体MDmesh II家族的N沟道MOSFET，是专为高效能电源转换而生的利器。

它凭借650V的漏源电压和仅480毫欧的低导通电阻，能显著降低您在开关模式电源中的导通损耗，让能量传递更高效，系统发热更少。同时，其极低的栅极电荷（25nC）确保了快速的开关性能，帮助您轻松提升电源工作频率，实现更紧凑的磁性元件设计。

无论是用于功率因数校正（PFC）、DC-DC转换还是电机驱动，STU10NM65N都能让您的设计在性能与可靠性上脱颖而出，是追求高性价比与卓越能效的工程师的理想选择。

• 型号:STU10NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 9A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:480 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU10NM65N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。