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您正在寻找一颗能轻松驾驭600V高压、同时保持高效低耗的功率开关吗？STU10N60M2正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh II Plus技术的N沟道MOSFET，能为您提供高达7.5A的电流处理能力，而其超低的导通电阻（仅600毫欧）意味着更少的能量损耗和发热，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更持久。

它不仅仅是一个开关，更是您提升产品性能的利器。极低的栅极电荷和输入电容让驱动设计变得异常简单，帮助您实现更快的开关频率和更高的系统效率。无论是面对严苛的工业环境还是追求紧凑的消费电子设计，其通孔I-PAK封装和宽工作温度范围都能提供坚实的可靠性保障。选择STU10N60M2，就是选择让复杂的高压功率管理变得高效而轻松。

• 型号:STU10N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU10N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。