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还在为小功率高压开关电路的选择而犹豫吗？让STQ2NK60ZR-AP来为您分忧。这颗N沟道MOSFET是意法半导体SuperMESH家族的经典成员，它能轻松驾驭高达600V的电压，并以高达400mA的电流为您提供稳定可靠的开关控制。

它专为高效而生。得益于先进的SuperMESH技术，它拥有较低的导通电阻和栅极电荷，这意味着在开关过程中能量损耗更小，让您的设备运行更凉爽、更节能。无论是用于电源辅助启动、LED驱动还是其他需要高压小电流开关的场合，它都能帮助您简化设计，提升整体系统的效率和可靠性。

采用坚固的TO-92-3通孔封装，安装简便，适应性强。选择它，就是为您的项目选择了一份经过验证的性能保障，让您能够更专注于核心功能的创新与优化。

• 型号:STQ2NK60ZR-AP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-92-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
• 包装:带盒（TB）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):400mA（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 700mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:170 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92-3
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
• STQ2NK60ZR-AP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。