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还在寻找能同时驾驭高电压与大电流的功率开关解决方案吗？STE60N105DK5 N沟道MOSFET就是您期待的答案。它基于ST先进的MDmesh DK5超结技术打造，拥有1050V的高耐压和46A的强大电流处理能力，让您在设计工业电源、新能源逆变器或高端电机驱动时，底气十足，轻松应对各种严苛挑战。

这颗芯片的核心使命，就是让您的系统运行更高效、更凉爽。其导通电阻（Rds(on)）低至120毫欧，能显著降低导通损耗，提升整体能效。同时，优化的动态参数有助于减少开关损耗，让高频操作更加顺畅。结合卓越的ISOTOP封装散热能力，它帮助您简化热设计，提升功率密度，最终打造出更紧凑、更可靠的终端产品。

• 制造商产品型号：STE60N105DK5
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 1050V 46A ISOTOP
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh DK5
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：1050V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：46A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：120 毫欧 @ 23A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 100A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：204nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：6675pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：680W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：底座安装
• 器件封装：ISOTOP
• STE60N105DK5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。