您正在寻找一颗能扛起高功率转换重任,同时保持冷静与高效的核心开关吗?STF31N65M5正是您的理想之选。它集650V高耐压、22A大电流与超低导通电阻于一身,专为应对严峻的工业与能源环境而设计。
这颗芯片能为您大幅降低开关损耗和导通损耗,让您的电源、电机驱动或逆变器系统效率显著提升。其优异的动态性能和热稳定性,让您轻松应对高频开关挑战,简化散热设计,最终打造出更紧凑、更可靠、更具竞争力的终端产品。
- 型号:STF31N65M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 22A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):148 毫欧 @ 11A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):45 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):816 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):30W(Tc)
- 工作温度:150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- STF31N65M5,ST(意法半导体)产品一站式供应商。