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您正在寻找一颗能大幅提升系统效率、同时节省宝贵电路板空间的“能量开关”吗？STT7P2UH7正是为您而来。这颗来自ST意法半导体的P沟道MOSFET，集成了STripFET先进技术，在微型SOT-23-6封装内实现了7A的大电流处理能力和低至22.5毫欧的导通电阻，让您的电源管理设计既高效又紧凑。

它能让您轻松驾驭各种负载开关与功率路径控制应用。其1.5V的低开启电压特性，简化了驱动设计；优异的栅极电荷与热性能，确保了快速、凉爽且可靠的开关操作。无论是提升便携设备的续航，还是优化电机驱动的效率，STT7P2UH7都是助您实现高性能目标的得力引擎。

• 型号:STT7P2UH7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 7A SOT23-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22.5 毫欧 @ 3.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2390 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6
• STT7P2UH7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。