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还在为空间受限的电路板寻找一颗强效的“电力开关”吗？STT4P3LLH6正是为您而来的解决方案！这颗采用先进STripFET H6技术的P沟道MOSFET，能在微型SOT-23-6封装内，为您提供高达4A的电流处理能力和低至56毫欧的导通电阻，让您的电源路径损耗大幅降低，系统效率显著提升。

它让您轻松实现高效的负载开关、电池保护或电机控制。其优化的栅极驱动特性（仅需4.5V-10V驱动电压）和低栅极电荷，意味着您可以用更简单的驱动电路实现快速、干净的开关动作，有效减少热量产生，提升整体可靠性。无论是便携设备还是高密度电源模块，STT4P3LLH6都是助您打造更紧凑、更凉爽、更持久产品的理想选择。

• 型号:STT4P3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:56 毫欧 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:639 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6
• STT4P3LLH6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。