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还在为高压应用中的开关损耗和散热问题烦恼吗？STB10N95K5这颗950V/8A的N沟道MOSFET，正是为您的高效电源设计量身打造。它采用先进的SuperMESH5技术，能显著降低导通和开关损耗，让您的系统运行更凉爽、效率更高。

它集高耐压、大电流与超低导通电阻于一身，能轻松应对工业电源、电机驱动等严苛场景。其优化的动态参数和坚固的D2PAK封装，让您在设计时更省心，产品更可靠。选择STB10N95K5，就是选择了一份卓越的性能与持久的稳定性。

• 型号:STB10N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:630 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB10N95K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。