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您是否希望为您的紧凑型设计找到一颗动力强劲又省心的“开关”？STT3PF30L正是这样一款专为高效电源管理而生的P沟道MOSFET。它基于先进的STripFET II技术，在微小的SOT23-6封装内，为您提供高达30V的耐压和2.4A的连续电流处理能力，同时将导通电阻控制在极低的165毫欧，显著减少功率损耗和发热。

这颗芯片能让您的设计事半功倍。其低至2.5V的栅极阈值电压和优化的栅极电荷，意味着您可以用更简单的驱动电路实现高效、快速的开关控制，轻松应用于电池供电设备、负载开关、电机驱动等场景。它让您能够在提升系统能效和可靠性的同时，最大限度地节省宝贵的PCB空间，是追求高性能与小型化完美平衡的理想选择。

• 型号:STT3PF30L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT23-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:420 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6
• STT3PF30L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。