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您正在为寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效冷静的功率MOSFET而烦恼吗？STF18N60M2正是为您而来的解决方案。它基于意法半导体先进的MDmesh II Plus技术，拥有600V的坚固耐压和13A的强大电流处理能力，让您在设计开关电源、电机控制或PFC电路时信心倍增。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的效率。仅280毫欧的低导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更节能。同时，优化的动态参数让开关过程干净利落，轻松应对高频工作场景，全面提升您的产品性能与市场竞争力。

• 型号:STF18N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:791 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF18N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。