我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STSJ25NF3LL现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的功率开关吗？STSJ25NF3LL正是为您而来。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，采用先进的STripFET II技术，拥有30V的漏源电压和高达25A的电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅10.5毫欧），能显著降低开关过程中的能量损耗，直接为您提升系统效率，减少散热负担。

它能让您的电源管理设计事半功倍。4.5V的低栅极驱动电压让控制变得轻松简单，而优异的栅极电荷和输入电容特性确保了快速高效的开关性能。无论是用于电机驱动、DC-DC转换还是负载开关，STSJ25NF3LL都能以紧凑的8-SOIC封装，为您提供稳定、高效的功率处理解决方案，助力您的产品在能效竞赛中脱颖而出。

• 型号:STSJ25NF3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 25A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1650 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STSJ25NF3LL，ST（意法半导体）产品一站式供应商。