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您正在设计需要处理大电流的紧凑型电源或电机驱动模块吗？STSJ100NHS3LL正是为您而来的强大引擎。这颗采用先进STripFET III技术的N沟道MOSFET，能在30V电压下持续通过高达100A的电流，而其超低的导通电阻（最低仅4.2毫欧）能显著减少导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它拥有4.5V的低驱动门槛和快速的开关特性，让您轻松实现高效能的功率切换控制。无论是用于提升DC-DC转换器的效率，还是驱动高功率负载，它都能以卓越的稳定性和功率密度，助您轻松攻克设计挑战，打造出性能更强劲、体积更精巧的终端产品。

• 型号:STSJ100NHS3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC-EP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.2 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta），70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC-EP
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STSJ100NHS3LL，ST（意法半导体）产品一站式供应商。